Sekwencyjna szybkość zapisu (ATTO)
420 MB/s
Sekwencyjna prędkość odczytu (CDM)
460 MB/s
Sekwencyjna prędkość zapisu (CDM)
370 MB/s
Typ błysku NAND
TLC (Triple Level Cell)
Sekwencyjna prędkość odczytu (ATTO)
550 MB/s
Szybkość przesyłania danych
6 Gbit/s
Kolejkowaniem zadań (NCQ)
Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
Pojemność pamięci SSD
120 GB
Cechy zabezpieczeń
Odporny na wstrząsy
Głębokość produktu
69,9 mm
Szerokość produktu
100 mm
Wstrząsy podczas pracy
1500 G
Wibracje podczas pracy
20 G
Certyfikaty zgodności
RoHS
Kod zharmonizowanego systemu (HS)
84717070
Sekwencyjna szybkość zapisu (ATTO)
420 MB/s
Sekwencyjna prędkość odczytu (CDM)
460 MB/s
Sekwencyjna prędkość zapisu (CDM)
370 MB/s
Typ błysku NAND
TLC (Triple Level Cell)
Sekwencyjna prędkość odczytu (ATTO)
550 MB/s
Szybkość przesyłania danych
6 Gbit/s
Kolejkowaniem zadań (NCQ)
Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
Pojemność pamięci SSD
120 GB
Cechy zabezpieczeń
Odporny na wstrząsy
Głębokość produktu
69,9 mm
Szerokość produktu
100 mm
Wstrząsy podczas pracy
1500 G
Wibracje podczas pracy
20 G
Certyfikaty zgodności
RoHS
Kod zharmonizowanego systemu (HS)
84717070